原文标题:通富微电突破7纳米芯片封装工艺，为国产走向全面替代做好了准备
本文摘要:近期，我国一家企业成功弯道超车，突破了全球所有国家迄今为止都没有实现应用的7纳米芯片封测技术。为国产低纳米芯片封装工艺的全面替代做好了准备。作为全球第五、国内第二大芯片封测厂商的通富微电，突破了高密度高可靠电子封装关键技术以及成套工艺”项目… …
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近期，我国一家企业成功弯道超车，突破了全球所有国家迄今为止都没有实现应用的7纳米芯片封测技术。
为国产低纳米芯片封装工艺的全面替代做好了准备。
作为全球第五、国内第二大芯片封测厂商的通富微电，突破了高密度高可靠电子封装关键技术以及成套工艺”项目，斩获国家科技进步一等奖。
通富微电是一家致力于集成电路封装与技术研发的高科技企业。是国内第一家实现高端封装测试技术MCM、MEMS量化生产的封装测试厂商。
此次突破的芯片封装技术，是针对高密度芯片封装工艺中，焊点易桥连和界面易损伤的难题，提出了倒装铜柱凸点高密度键合技术，该技术突破了高密度可靠电子封装技术的瓶颈，解决了电子封装工艺从14纳米到7纳米的技术难题。
这是继2016年收购AMD苏州和槟城两大封测厂，深度绑定AMD供应链以及市场之后，通富微电的又一次重大突破。
这项技术是目前全球范围内，唯一实现了7纳米芯片以及64核CPU芯片封装的核心技术，封装评测过程中的产品成品率高达99.8%。
那么封测技术究竟是指什么？封测技术的本质是将生产出来的合格晶圆产品进行分步切割、焊线、塑封，使芯片电路与外部电子器件实现电气连接，同时为芯片提供密闭空间的保护作用。
避免芯片内部的精密电路与外界直接接触，防止外部环境对芯片造成损害的一种加工工艺。
当芯片暴露在肉眼看不见的粉尘以及潮湿环境下，会导致芯片上的精密电路被腐蚀，进而造成芯片整体电学性能下降。
这些年来，由于芯片的发展趋势越来越偏向集成化、小型化，以往的封测技术已经无法对更低纳米芯片进行有效封测，进而保证产品的成品率。
其次是现在芯片的密度越来越高，采用以往的封测技术对高密度芯片进行封装，很容易导致芯片内部精密电路出现翘曲和异质界面开裂，造成芯片成品率变低的难题。
如今通富微电所攻克的这项技术，本质上就是为了解决芯片封装工艺中，所面临的这一系列难题。
当华为还在为攻坚国产低纳米芯片倾尽全力之际，这项技术的突破，无疑给中国半导体领域带来了天大的好消息。
通富微电作为仅次于长电科技的中国第二大芯片封测厂商，对未来实现国产化替代的进程已经越来越快。
目前国外芯片封装行业的各大头部企业，都处在CSP、BGA封装为主的第三阶段，并且正在向第四、第五阶段的先进封装技术迈进。
而国内厂商，通过自主研发和海外并购的方式，已经掌握了部分第三、第四以及第五阶段的先进封装技术，但国内市场的主流封装产品，仍处于第二到第三阶段的区间内，整体水平与国外相比依旧具有很大差距。
但是相比以往，国内芯片封测企业这几年的进步已经非常大。
就说我国封测行业的龙头企业长电科技，在2020年的市场占比为11.96%，其次就是通富微电的5.05%，以及华天科技的3.93%。这三家企业代表了中国在芯片封测行业内的最高水平。
有人说芯片封测技术是半导体产业链中最简单中庸的工作。事实上，芯片封测技术上是相当复杂的。
给你们举个简单的例子，我国国产军用飞机的发动机虽然可以做出来，但是发动机短舱问题非常严重，简单的说就是外面的护罩必须由罗罗发动机公司或CFM设计并提供。
短舱关乎发动机噪音控制，空气阻力等等，目前我国在这个领域和国外相比差距巨大。
坦白讲，差距太大的地方都是大家从新闻联播中看不到的。
由此可见，通富微电的这次突破，在技术上的复杂程度，已经不属于设计和生产中的任何一个环节。
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